IRLB4132PBF vs IRF3205ZSTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLB4132PBF توسط Infineon و IRF3205ZSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLB4132PBF IRF3205ZSTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی / کیس TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
نوع نصب Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 110 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
بسته‌بندی — D2PAK (TO-263)
Packaging — Tape & Reel (left reel)
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — 1
Body Diode — Avalanche-rated intrinsic

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت