IRLB4132PBF vs IRF3205ZSTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLB4132PBF מאת Infineon ו IRF3205ZSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRLB4132PBF IRF3205ZSTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C —
מארז / Case TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
סוג הרכבה Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 110 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 76 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
מארז — D2PAK (TO-263)
Packaging — Tape & Reel (left reel)
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — 1
Body Diode — Avalanche-rated intrinsic

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר