IRLML6246TRPBF vs IRLML2030TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6246TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6246TRPBF IRLML2030TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRLML6246TRPBF IRLML2030TRPBF
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm 154 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Paket SOT-23 (Micro3) Micro3 (SOT-23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) Yes (lead-free, halogen-free)
Klorürsüz Yes —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin