IRLML6246TRPBF vs IRLML2030TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLML6246TRPBF توسط Infineon و IRLML2030TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLML6246TRPBF IRLML2030TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRLML6246TRPBF IRLML2030TRPBF
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm 154 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) —
بسته‌بندی SOT-23 (Micro3) Micro3 (SOT-23)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) Yes (lead-free, halogen-free)
بدون هالوژن Yes —
سطح MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت