IRLML6246TRPBF vs IRLML2803TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6246TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2803TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6246TRPBF IRLML2803TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRLML6246TRPBF IRLML2803TRPBF
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) IR MOSFET Generation V
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +150C (TJ)
Paket SOT-23 (Micro3) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) Compliant, Halogen-Free
Klorürsüz Yes —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 540 mW
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin