IRLR3105TRPBF vs IRLR024NTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3105TRPBF tarafından Infineon ve IRLR024NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR3105TRPBF IRLR024NTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process Technology)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Rds(on) max @ VGS=10V 37 mOhm —
Rds(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 10 nC (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Input Capacitance (Ciss) 710 pF @ 25 V —
Power Dissipation (Pd) at Tc 57 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: TJ min/max] -55 C to +175 C
Paket TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Type Logic-Level —
RoHS Durumu Compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin