IRLR3105TRPBF vs IRLR024NTRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLR3105TRPBF bằng Infineon và IRLR024NTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLR3105TRPBF IRLR024NTRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process Technology)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Rds(on) max @ VGS=10V 37 mOhm —
Rds(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 10 nC (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Input Capacitance (Ciss) 710 pF @ 25 V —
Power Dissipation (Pd) at Tc 57 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: TJ min/max] -55 C to +175 C
Hộp TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Type Logic-Level —
Trạng thái RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 65 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.0 V
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 45 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Gate Drive Level — Logic-Level
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá