IRLR3410TRLPBF vs IAUC100N10S5N040ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3410TRLPBF tarafından Infineon ve IAUC100N10S5N040ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR3410TRLPBF IAUC100N10S5N040ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET OptiMOS-5
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A 400 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC [DATA_NEEDED: Qg value]
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
MSL Seviyesi 1 MSL1 (up to 260C peak reflow)
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin