IRLR3410TRRPBF vs IRLR3410TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3410TRRPBF tarafından Infineon ve IRLR3410TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 17 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 79 W —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 105 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1 V (at 250 uA) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Technology IR HEXFET (IR MOSFET process) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Packaging Style Tape & Reel Right (TRR) —
Avalanche Rated Yes Yes (UIS tested)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin