IRLR3410TRRPBF vs IRLR3410TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3410TRRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3410TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 17 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 79 W —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 105 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1 V (at 250 uA) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Technology IR HEXFET (IR MOSFET process) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
Packaging Style Tape & Reel Right (TRR) —
Avalanche Rated Yes Yes (UIS tested)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں