IRLR3636TRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3636TRLPBF tarafından Infineon ve IRLR3114ZTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLR3636TRLPBF | IRLR3114ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | 130 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | 2.5 V (typ) |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | — | 30 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 16 V |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | — | 4.9 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 40 nC @ VGS=4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.81 nF |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | — | 140 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + tab) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |