IRLR3636TRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3636TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3114ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3636TRLPBF IRLR3114ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET® (IR MOSFET™) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 50 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM rating] 130 A
RDS(on) Max @ VGS=10V 6.8 mΩ —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (QG) 33 nC —
Power Dissipation (PD, TC=25°C) 143 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Avalanche Rated Yes (per Infineon datasheet family) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — 16 V
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 40 nC @ VGS=4.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
پنز کی تعداد — 3 (2 + tab)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں