ISC009N06NM6ATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC009N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC009N06NM6ATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 7 Power-Transistor
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C 344 A —
Power Dissition (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 221 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55 degrees C to +175 degrees C
Paket PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) PG-TTFN-9-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Technology — OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin