ISC009N06NM6ATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC009N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC009N06NM6ATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 7 Power-Transistor
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C 344 A —
Power Dissition (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 221 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55 degrees C to +175 degrees C
پیکیج PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) PG-TTFN-9-3
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Technology — OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں