ISC009N06NM6ATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISC009N06NM6ATMA1 توسط Infineon و IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC009N06NM6ATMA1 ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 - 60V 40A OptiMOS 6 N-FET | Infineon

ISC009N06NM6ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISC009N06NM6ATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 7 Power-Transistor
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C 344 A —
Power Dissition (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 221 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C -55 degrees C to +175 degrees C
بسته‌بندی PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) PG-TTFN-9-3
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
بدون هالوژن Yes —
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Technology — OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت