ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUTN04S7N003ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N04NM7VATMA1 tarafından Infineon ve IAUTN04S7N003ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N04NM7VATMA1 IAUTN04S7N003ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon OptiMOS 7 N-Channel Trench MOSFET
Paket PG-TDSON-8 (source-down) PG-HSOF-8-9 (TOLL, 10x12 mm, surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +175 °C (Tj)
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
MSL Seviyesi MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 350 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 357 W
RDS(on) max at VGS=10V — 0.24 mOhm (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Avalanche Single-Pulse Current — [DATA_NEEDED: IAS]
Body Diode Continuous Forward Current — 350 A (Tj = 25 °C)
Body Diode Pulse Current — 3510 A (tp = 100 µs, Tj = 25 °C)
Body Diode Forward Voltage (VSD) — 0.95 V max (0.8 V typ) at IS = 100 A
Reverse Recovery Time (trr) — 83 ns typical / 125 ns max
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 126 nC typical / 252 nC max
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin