ISC011N04NM7VATMA1 vs IAUTN04S7N003ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC011N04NM7VATMA1 bằng Infineon và IAUTN04S7N003ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUTN04S7N003ATMA1 - 40V 350A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUTN04S7N003ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC011N04NM7VATMA1 | IAUTN04S7N003ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS 7 N-Channel Trench MOSFET |
| Hộp | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-HSOF-8-9 (TOLL, 10x12 mm, surface mount) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| Cấp MSL | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 350 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 357 W |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.24 mOhm (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Avalanche Single-Pulse Current | — | [DATA_NEEDED: IAS] |
| Body Diode Continuous Forward Current | — | 350 A (Tj = 25 °C) |
| Body Diode Pulse Current | — | 3510 A (tp = 100 µs, Tj = 25 °C) |
| Body Diode Forward Voltage (VSD) | — | 0.95 V max (0.8 V typ) at IS = 100 A |
| Reverse Recovery Time (trr) | — | 83 ns typical / 125 ns max |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 126 nC typical / 252 nC max |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |