ISC045N03L5SATMA1 vs ISC030N12NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC045N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve ISC030N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC045N03L5SATMA1 ISC030N12NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Paket SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
RoHS Durumu Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS max) — 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 194 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 3.4 mOhm @ VGS=10 V
On-Resistance RDS(on) typical — 3.0 mOhm @ VGS=10 V
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 250 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +175 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (full RDS(on))
Configuration — Single N-channel, source-down
Packaging (suffix) — Tape & Reel (ATMA1)
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin