ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC016N08NM8SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC016N08NM8SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ028N03LF2SATMA1 ISC016N08NM8SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) OptiMOS 8 (shield-gate trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Paket PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction, typical) -55C to +175C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] [DATA_NEEDED: typical Qg @ VGS=10V]
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 8
Continuous Drain Current at TA=25°C (ID) — 29 A
Continuous Drain Current at TC=25°C (ID) — 269 A
Power Dissipation at TC=25°C (PD) — 263 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Drain Tab Connection — Top + bottom exposed (dual-side cooling)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin