ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC016N08NM8SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC016N08NM8SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ028N03LF2SATMA1 | ISC016N08NM8SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) | OptiMOS 8 (shield-gate trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 128 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 2.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC, 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction, typical) | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (logic level at 4.5 V) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: typical Qg @ VGS=10V] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 8 |
| Continuous Drain Current at TA=25°C (ID) | — | 29 A |
| Continuous Drain Current at TC=25°C (ID) | — | 269 A |
| Power Dissipation at TC=25°C (PD) | — | 263 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Drain Tab Connection | — | Top + bottom exposed (dual-side cooling) |