ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ173N15NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ072N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISZ173N15NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Aktif
Infineon
ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Paket PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TSDSON-8 FL
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C ( Tj max 175C ) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 trench-gate MOSFET
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 —
Series — OptiMOS 6 150V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7.9 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 48 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 94 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Application — Hard and soft switching, high/low frequency
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Quantity — 5000

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin