ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ173N15NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ072N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ173N15NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TSDSON-8 FL
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C ( Tj max 175C ) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 trench-gate MOSFET
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 —
Series — OptiMOS 6 150V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7.9 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 48 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 94 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Application — Hard and soft switching, high/low frequency
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Quantity — 5000

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں