ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ173N15NM6ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của ISZ072N06NM6ATMA1 bằng Infineon và ISZ173N15NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISZ173N15NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-MOSFET 48A | Infineon

ISZ173N15NM6ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ173N15NM6ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) —
Tiêu hao điện năng (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Hộp PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TSDSON-8 FL
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C ( Tj max 175C ) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 trench-gate MOSFET
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 —
Series — OptiMOS 6 150V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7.9 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 48 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 94 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Application — Hard and soft switching, high/low frequency
Lead-Free — Yes
Tape & Reel Quantity — 5000

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá