K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BIWE Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BIWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIWE K4A8G085WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIWE ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BIWE
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organizasyon 1G x 8 —
Veri Hızı 2400 Mbps 3200 Mbps
Besleme Gerilimi 1.2 V 1.2 V
İşletim Sıcaklığı 0°C to 85°C 0°C to +85°C
Paket 78-ball FBGA 78-FBGA
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.175 ns [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS]
Technology CMOS —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Bellek Boyutu — 8 Gb
Memory Organization — 1G x 8
Montaj Türü — Surface Mount
Memory Interface — Parallel
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CL value]
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin