K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BIWE 比較
詳細並排比較 K4A8G085WB-BCRC 由 Samsung Electronics 與 K4A8G085WB-BIWE 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 組織 | 1G x 8 | — |
| 資料速率 | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2 V |
| 工作溫度 | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| 封裝 | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 記憶體容量 | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| CAS 延遲 | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS 狀態 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 無鹵素 | — | Yes |