K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WB-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 1G x 8 | — |
| קצב נתונים | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| נטול הלוגנים | — | Yes |