K4A8G085WB-BICR vs K4A8G045WB-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BICR tarafından Samsung Electronics ve K4A8G045WB-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB-BICR K4A8G045WB-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 2G x 4
Veri Hızı 2400 Mbps —
Besleme Gerilimi 1.2 V (VDD/VDDQ) —
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
Paket 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Pin Sayısı 78 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
Arayüz — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
İşletim Sıcaklığı — 0 C to 85 C
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin