K4A8G085WB-BICR vs K4A8G045WB-BCRC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BICR توسط Samsung Electronics و K4A8G045WB-BCRC توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A8G085WB-BICR K4A8G045WB-BCRC
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
سازمان 1G x 8 2G x 4
نرخ داده 2400 Mbps —
ولتاژ تغذیه 1.2 V (VDD/VDDQ) —
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
بسته‌بندی 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
تعداد پایه 78 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
رابط — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
دمای کاری — 0 C to 85 C
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت