K4A8G085WB-BICR vs K4A8G045WB-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BICR بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G045WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BICR K4A8G045WB-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 2G x 4
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps —
سپلائی وولٹیج 1.2 V (VDD/VDDQ) —
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
پیکیج 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
پن کی تعداد 78 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
انٹرفیس — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0 C to 85 C
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں