K4A8G085WB-BICR vs K4A8G045WB-BCRC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BICR מאת Samsung Electronics ו K4A8G045WB-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4A8G085WB-BICR K4A8G045WB-BCRC
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
ארגון 1G x 8 2G x 4
קצב נתונים 2400 Mbps —
מתח אספקה 1.2 V (VDD/VDDQ) —
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
מארז 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
מספר פינים 78 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
ממשק — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
טמפרטורת פעולה — 0 C to 85 C
Terminals — 78
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר