K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BCMA0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Son Kullanım ZamanıÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Hayat Dönemi Sonu | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1866 Mbps | — |
| Besleme Gerilimi | 1.5 V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | 0C to +95C |
| Paket | 96-FBGA | 96-FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Yaşam Döngüsü Durumu | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Arayüz | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| RoHS Durumu | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |