K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BCMA0 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | پایان عمر محصول | فعال |
| نوع حافظه | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gb | 4 Gbit |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1866 Mbps | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.5 V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | 0C to +95C |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| وضعیت چرخه عمر | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| رابط | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |