K4B4G1646D-BCMA0 vs K4B4G1646 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCMA0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ סוף ייצורהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCMA0 | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gb | 4 Gbit |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | — |
| מתח אספקה | 1.5 V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | 0C to +95C |
| מארז | 96-FBGA | 96-FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| סטטוס מחזור חיים | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| ממשק | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |