K4B4G1646E-BCNB vs K4B4G1646 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BCNB tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646E-BCNB | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $13,52 | — |
| Bellek Türü | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Veri Hızı | 1866 Mbps | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C | 0C to +95C |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Arayüz Türü | Parallel | — |
| Refresh | 8K / 64 ms | — |
| Burst Length | 8, 4 (fixed) | — |
| Write Recovery Time | [DATA_NEEDED: tWR] | — |
| Row Cycle Time | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | [DATA_NEEDED: tRCD] | — |
| Row Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRP] | — |
| Active to Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRAS] | — |
| Arayüz | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |