K4B4G1646E-BCNB vs K4B4G1646 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BCNB بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BCNB | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $13.52 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb | 4 Gbit |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | 0C to +95C |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| انٹرفیس ٹائپ | Parallel | — |
| Refresh | 8K / 64 ms | — |
| Burst Length | 8, 4 (fixed) | — |
| Write Recovery Time | [DATA_NEEDED: tWR] | — |
| Row Cycle Time | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | [DATA_NEEDED: tRCD] | — |
| Row Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRP] | — |
| Active to Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRAS] | — |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |