K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48AGBDX018N Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH086VB-BIQK tarafından Samsung Electronics ve H5CG48AGBDX018N tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Aktif
SK hynix
H5CG48AGBDX018N H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | SK hynix

H5CG48AGBDX018N ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH086VB-BIQK H5CG48AGBDX018N
Marka Samsung Electronics SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $87,42
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb (2G x 8)
Organizasyon 2G x 8 2G x 8
Veri Hızı 4800 Mbps/pin 5600 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
Paket 82FBGA 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball)
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
Arayüz DDR5 (CA reduced pin count) JEDEC DDR5
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) [DATA_NEEDED: RoHS status]
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Besleme Gerilimi — 1.1 V
Bus Width — 8 bit
Montaj Türü — Surface Mount
Memory Generation — DDR5 (SK hynix A-die)
Clock Frequency — up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps)
Application Class — Computing, industrial controllers, embedded logging

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin