K4RAH086VB-BIQK vs H5CG48AGBDX018N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RAH086VB-BIQK מאת Samsung Electronics ו H5CG48AGBDX018N מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4RAH086VB-BIQK | H5CG48AGBDX018N |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $87.42 |
| סוג זיכרון | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb (2G x 8) |
| ארגון | 2G x 8 | 2G x 8 |
| קצב נתונים | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| מארז | 82FBGA | 82-ball FCBGA (JEDEC DDR5 78/82-ball) |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| ממשק | DDR5 (CA reduced pin count) | JEDEC DDR5 |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| מתח אספקה | — | 1.1 V |
| Bus Width | — | 8 bit |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Memory Generation | — | DDR5 (SK hynix A-die) |
| Clock Frequency | — | up to 5600 MHz (data rate 5600 Mbps) |
| Application Class | — | Computing, industrial controllers, embedded logging |