K6T0808C1D-DB70 vs K6T0808C1D-DB55 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6T0808C1D-DB70 tarafından Samsung Electronics ve K6T0808C1D-DB55 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB70 K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung

K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung

K6T0808C1D-DB70 ⚠ Son Satın Alma
Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB55 K6T0808C1D-DB55 - 32Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6T0808C1D-DB55 - 32Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6T0808C1D-DB55 Obsolete

Özellik Karşılaştırması

Parametre K6T0808C1D-DB70 K6T0808C1D-DB55
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Son Alış Zamanı Obsolete
Bellek Türü Volatile SRAM (Static RAM) Asynchronous Static RAM (SRAM)
Memory Organization 32K x 8 = 256 Kbit —
Density 256 Kbit (32,768 bytes) 256 Kbit (32K x 8)
Access Time (tAA) 70 ns 70 ns (max)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 5 V (typical; 4.5 V min per SRAM class)
Operating Current (ICC) 60 mA (typical) —
Standby Current (ISB1) 15 uA (typical) —
İşletim Sıcaklığı 0C to +70C (commercial) -40 C to +85 C (industrial)
Arayüz Parallel, asynchronous, TTL-compatible —
Output Enable (OE) Yes (active-low) —
Write Enable (WE) Yes (active-low) —
Chip Enable CE1 (active-low), CE2 (active-high) —
Veri Bus Genişliği 8 bits —
Paket DIP-28 (600 mil, 'DB' code) 28-pin TSOP1F (Type I, forward)
Montaj Türü Through-Hole Surface Mount
Process Technology CMOS (6T cell) Samsung advanced CMOS
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: verify on Samsung product page]
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL classification]
Organizasyon — 32,768 words x 8 bits
Standby Current — [DATA_NEEDED: typical ISB1 in uA]
Operating Current — [DATA_NEEDED: typical ICC in mA]
Çıkış Türü — Three-state, bidirectional DQs
I/O Logic Level — TTL-compatible
Data Retention Voltage — [DATA_NEEDED: VDR minimum in V]
Lead-Free — [DATA_NEEDED: confirm]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin