K6T0808C1D-DB70 vs K6T0808C1D-DB55 So sánh

So sánh chi tiết song song của K6T0808C1D-DB70 bằng Samsung Electronics và K6T0808C1D-DB55 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB70 K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung

K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung

K6T0808C1D-DB70 ⚠ Lần mua cuối
Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB55 K6T0808C1D-DB55 - 32Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6T0808C1D-DB55 - 32Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6T0808C1D-DB55 Obsolete

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K6T0808C1D-DB70 K6T0808C1D-DB55
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Lần mua cuối Obsolete
Kiểu bộ nhớ Volatile SRAM (Static RAM) Asynchronous Static RAM (SRAM)
Memory Organization 32K x 8 = 256 Kbit —
Density 256 Kbit (32,768 bytes) 256 Kbit (32K x 8)
Access Time (tAA) 70 ns 70 ns (max)
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 5 V (typical; 4.5 V min per SRAM class)
Operating Current (ICC) 60 mA (typical) —
Standby Current (ISB1) 15 uA (typical) —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +70C (commercial) -40 C to +85 C (industrial)
Giao diện Parallel, asynchronous, TTL-compatible —
Output Enable (OE) Yes (active-low) —
Write Enable (WE) Yes (active-low) —
Chip Enable CE1 (active-low), CE2 (active-high) —
Bề rộng đường dữ liệu 8 bits —
Hộp DIP-28 (600 mil, 'DB' code) 28-pin TSOP1F (Type I, forward)
Kiểu lắp đặt Through-Hole Surface Mount
Process Technology CMOS (6T cell) Samsung advanced CMOS
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: verify on Samsung product page]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL classification]
Tổ chức — 32,768 words x 8 bits
Standby Current — [DATA_NEEDED: typical ISB1 in uA]
Operating Current — [DATA_NEEDED: typical ICC in mA]
Kiểu đầu ra — Three-state, bidirectional DQs
I/O Logic Level — TTL-compatible
Data Retention Voltage — [DATA_NEEDED: VDR minimum in V]
Lead-Free — [DATA_NEEDED: confirm]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá