K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF70T Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X0808C1D-BF70 tarafından Samsung Electronics ve K6X0808C1D-BF70T tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung
K6X0808C1D-BF70 ✗ Son Kullanım ZamanıÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Hayat Dönemi Sonu | Aktif |
| Bellek Türü | Asynchronous SRAM (CMOS) | SRAM - Asynchronous |
| Density | 256 Kbit | — |
| Organizasyon | 32K x 8 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Arayüz | Parallel | — |
| Technology | CMOS | — |
| Paket | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Besleme Gerilimi | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | -40C to +85C (TA) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| Bellek Boyutu | — | 256 Kbit |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Veri Bus Genişliği | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |