K6X0808C1D-BF70 vs K6X0808C1D-BF70T موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF70 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-BF70T بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung
K6X0808C1D-BF70 ✗ اختتامِ زندگیخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K6X0808C1D-BF70 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | اختتامِ زندگی | فعال |
| میموری ٹائپ | Asynchronous SRAM (CMOS) | SRAM - Asynchronous |
| Density | 256 Kbit | — |
| تنظیم | 32K x 8 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Technology | CMOS | — |
| پیکیج | 28-SOP (PDSO28) | 28-SOP |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| سپلائی وولٹیج | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| Operating Current (active) | [DATA_NEEDED: Operating Current] | — |
| Standby Current (CMOS) | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) | -40C to +85C (TA) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Data Retention | Volatile (battery-backup capable with CE control) | — |
| I/O Type | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Address Bus | A0-A14 (15 address lines) | — |
| میموری سائز | — | 256 Kbit |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| ڈیٹا بس چوڑائی | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |