K9MDG08U5M vs K9PDG08U5M Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K9MDG08U5M tarafından Samsung Electronics ve K9PDG08U5M tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics
K9PDG08U5M ✗ Son Kullanım ZamanıÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K9MDG08U5M | K9PDG08U5M |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | EEPROM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Hayat Dönemi Sonu |
| Bellek Türü | MLC Large Block NAND Flash | NAND Flash (SLC) |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 4 Gbit |
| Organizasyon | 16G x 8 bit | x8 (multiplexed I/O) |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | — |
| Supply Voltage Min | 2.7 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| Arayüz | Asynchronous x8 multiplexed address/data | — |
| Paket | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm | TSOP1-48 |
| Terminals | 48 | — |
| Circuits | 1 | — |
| Die Configuration | Dual stacked | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG] | — |
| RoHS Durumu | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Besleme Gerilimi | — | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Access Interface | — | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B, open-drain) |
| Write Protect Pin | — | Yes (/WP) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |