K9MDG08U5M vs K9PDG08U5M So sánh
So sánh chi tiết song song của K9MDG08U5M bằng Samsung Electronics và K9PDG08U5M bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics
K9PDG08U5M ✗ Cuối đờiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9MDG08U5M | K9PDG08U5M |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | EEPROM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Cuối chu kỳ cuộc sống |
| Kiểu bộ nhớ | MLC Large Block NAND Flash | NAND Flash (SLC) |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 4 Gbit |
| Tổ chức | 16G x 8 bit | x8 (multiplexed I/O) |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | — |
| Supply Voltage Min | 2.7 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| Giao diện | Asynchronous x8 multiplexed address/data | — |
| Hộp | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm | TSOP1-48 |
| Terminals | 48 | — |
| Circuits | 1 | — |
| Die Configuration | Dual stacked | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG] | — |
| Trạng thái RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Điện áp cung cấp | — | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Access Interface | — | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B, open-drain) |
| Write Protect Pin | — | Yes (/WP) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |