M29F200FT55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F200FT55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F400FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F200FT55N3F2 M29F400FB55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 4 Mbit (4194 kbit)
Organizasyon 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 16 / 512K x 8
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 48-pin TSOP 48-TSOP I
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Arayüz Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free build per F2 suffix)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Besleme Gerilimi — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin