M29F200FT55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F200FT55N3F2 bằng Micron Technology và M29F400FB55N3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F200FT55N3F2 M29F400FB55N3F2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 4 Mbit (4194 kbit)
Tổ chức 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 16 / 512K x 8
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Hộp 48-pin TSOP 48-TSOP I
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free build per F2 suffix)
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Điện áp cung cấp — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá