M29F800FB55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FB55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55M3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FB55M3F2 M29F800FT55M3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 8389 kbits (8 Mbit) 8389 kbits
Organizasyon 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 512K x 16 bit
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
Arayüz Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
Paket 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Bellek Boyutu — 8 Mbit
Besleme Gerilimi — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin