M29F800FB55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F800FB55M3F2 bằng Micron Technology và M29F800FT55M3E2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F800FB55M3F2 M29F800FT55M3E2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 8389 kbits (8 Mbit) 8389 kbits
Tổ chức 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 512K x 16 bit
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
Giao diện Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
Hộp 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Kích thước bộ nhớ — 8 Mbit
Điện áp cung cấp — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá