M29F800FB55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FB55M3F2 توسط Micron Technology و M29F800FT55M3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F800FB55M3F2 M29F800FT55M3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 8389 kbits (8 Mbit) 8389 kbits
سازمان 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 512K x 16 bit
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
رابط Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
بسته‌بندی 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
اندازه حافظه — 8 Mbit
ولتاژ تغذیه — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت