M29F800FB55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FB55M3F2 מאת Micron Technology ו M29F800FT55M3E2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F800FB55M3F2 M29F800FT55M3E2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs EEPROM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 8389 kbits (8 Mbit) 8389 kbits
ארגון 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 512K x 16 bit
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
ממשק Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
מארז 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
גודל זיכרון — 8 Mbit
מתח אספקה — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר