M29F800FT55M3F2 vs M29F800FT55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55M3F2 M29F800FT55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 8 Mbit (8389 kbits) —
Organizasyon 512K x 16 / 1M x 8 1M x 8 bit / 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 44-pin SO (SOP) 48-pin TSOP
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (T/R)
Arayüz Parallel, x8/x16 selectable Parallel
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS Durumu Compliant (lead-free suffix F2) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bellek Boyutu — 8 Mbit
Besleme Gerilimi — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot block (T)
Programming Voltage — 5.0 V VCC (no 12 V VPP required)
Erase Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin